산시성(陜西省)과 몽고지방에 많다 파장 07~08μ 의 반도체 레이저 갈륨비소(GaAs)와 갈륨알루미늄(GaAl)의 적층구조(積層構造)를 소자로 사용한다평면 위의 폐곡선(閉曲線)의 하나 볼록폐곡선이라고도 한다평면위의 중복점을 가지지 않는 닫힌 연속곡선은 평면을 그 내부와 외부로 나눈다특히 내부의 ...
여진을 가하지 않으면 그 속의 정보가 없어지는 기억소자이다실리콘 대신에 갈륨비소(GaAs)를 반도체 재료로 한 대표적인 화합물반도체 실리콘반도체에 비해 동작속도가 3∼5배 빠른 반면 전력소비는 1/3에 불과하다 잡음이 없어 1백기가헤르츠(1천억헤르츠) 이상의 고주파 동작도 가능하다 또 ...
산시성(陜西省)과 몽고지방에 많다 파장 07~08μ 의 반도체 레이저 갈륨비소(GaAs)와 갈륨알루미늄(GaAl)의 적층구조(積層構造)를 소자로 사용한다평면 위의 폐곡선(閉曲線)의 하나 볼록폐곡선이라고도 한다평면위의 중복점을 가지지 않는 닫힌 연속곡선은 평면을 그 내부와 외부로 나눈다특히 내부의 ...
여진을 가하지 않으면 그 속의 정보가 없어지는 기억소자이다실리콘 대신에 갈륨비소(GaAs)를 반도체 재료로 한 대표적인 화합물반도체 실리콘반도체에 비해 동작속도가 3∼5배 빠른 반면 전력소비는 1/3에 불과하다 잡음이 없어 1백기가헤르츠(1천억헤르츠) 이상의 고주파 동작도 가능하다 또 ...
산시성(陜西省)과 몽고지방에 많다 파장 07~08μ 의 반도체 레이저 갈륨비소(GaAs)와 갈륨알루미늄(GaAl)의 적층구조(積層構造)를 소자로 사용한다평면 위의 폐곡선(閉曲線)의 하나 볼록폐곡선이라고도 한다평면위의 중복점을 가지지 않는 닫힌 연속곡선은 평면을 그 내부와 외부로 나눈다특히 내부의 ...
N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)을 조합해 만든 반도체 물질은 빛을 낼 수 있다. 비소화갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN), 비소화인듐(InAs), 인화인듐(InP) 등이 그것이다.이같이 두가지 이상의 원소가 만나 만들어진 반도체 물질을 화합물 반도체라 한다. 화합물 반도체는 최근 광소자를 ...
갈륨-비소와 같은 화합물 반도체 기판 위에 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)나 인듐갈륨비소(InGaAs)와 같은 기판 물질과는 다른 혼합화합물을 여러 개의 단결정 박막층으로 성장시키는데 이를 ‘이종접합구조’라고 한다. 이때 각 층의 두께는 수나노미터(1nm=${10}^{-9}$m)에서 수마이크로미터(1μm=${10}^{-6}$m)까지 ...
기록밀도를 높일 수 있다.현재 CD에 정보를 기록하거나 읽는데는 알루미늄갈륨비소계(AlGaAs)의 파장 7백80nm의 근적외선 레이저를 사용하며, DVD에는 알루미늄갈륨인듐인계(AlGaInP)의 6백35nm의 적색 레이저를 사용하고 있다. 이러한 적색레이저로는 72분짜리 음악, 15분짜리 비디오를 담는 CD나 4.7GB를 ...
여진을 가하지 않으면 그 속의 정보가 없어지는 기억소자이다실리콘 대신에 갈륨비소(GaAs)를 반도체 재료로 한 대표적인 화합물반도체 실리콘반도체에 비해 동작속도가 3∼5배 빠른 반면 전력소비는 1/3에 불과하다 잡음이 없어 1백기가헤르츠(1천억헤르츠) 이상의 고주파 동작도 가능하다 또 ...
할 수 있으므로, 초고속 슈퍼컴퓨터에 사용할 수 있다. 한 예로 현재 구현된 GaAs/AlGaAs 이종접합 구조에 의한 공명투과 트랜지스터의 경우, 온(on) 및 오프(off) 동작속도가 매우 빨라 기존의 측정기기로는 측정이 불가능하기 때문에 현재 초고속성을 측정할 수 있는 측정기기의 개발도 연구중에 있다 ...